電阻帶的氧化過程
電阻帶的高溫氧化過程按其氧化速度町分為三個階段（見

圖3-1電阻帶氧化過程示意圖
〇4_氧化膜形成階段；氧化膜穩(wěn)定階段；
—氧化膜破壞階段
(1)  氧化膜形成階段。初期，合金快速地被氧化，此間氧化速 度最大^■以后，氧化速度開始減慢_a當(dāng)表面形成一層連續(xù)的氧化 膜時，氧化速度繼續(xù)減慢，氧化就進(jìn)入第二階段。
在此階段氧化速度與時間的關(guān)系是非線性的，氧化膜為申層
結(jié)構(gòu)。
形成氧化膜的初期，合金中的銫、硅、鉻和其他易氧化元素 迅速同氧結(jié)合形成相應(yīng)的氧化物，這些氧化物附著仵合金的表面， 形成連續(xù)的氧化膜.同時，合金內(nèi)部的鋁、硅、鉻等元素向表面 擴(kuò)散，并富集在初生的氧化膜下\
(2)  氧化膜穩(wěn)定階段。當(dāng)合金表面形成一層連續(xù)的氧化膜后， 氧繼續(xù)向合金內(nèi)部的滲透速度下降。這時，仍有少量氧可以通過 氧化膜同富集在膜下的合金元素發(fā)生氧化反應(yīng)，形成內(nèi)氧化層_&
在此階段合金以很慢的速度氧化，經(jīng)過長時間高溫作用之后， 氧化膜的致密度増加，厚度增長，合金的氧化與時間呈線性關(guān)系g